সেমিকন্ডাক্টর
(semiconductor)
১।সেমিকন্ডাক্টর ডায়োড
(semiconductor diode)
পি এন জাংমনের মধ্যে দিয়ে একদিকে অতি সহজে কারেন্ট প্রবাহিত হয়
অন্যদিকে হয় না।
অর্থ্যত যখন পি এন জাংশনে ফরওয়ার্ড বায়াস প্রয়োগ করা হয়, তখন এর
মধ্য দিয়ে অতি সহজে কারেন্ট প্রবাহিত হয়। আবার যখন রিভার্স বায়াস প্রয়োগ করা হয়
তখন এর মধ্যে দিয়ে কারেন্ট প্রবাহিত হতে পারে না। পি এন জাংমনের এই একমুখী কা‡জর বৈশিষ্ট্য
আ‡ছ বলে
একে সেমিকন্ডাক্টর ডায়োড বলে।পি এন জাংশনকে সেমি কন্ডাকণ্টর ডায়োড
বা ক্রিস্টাল ডায়োড বলা হয়। ক্রিষ্টাল ডায়োডের সুবিদিত গুনাগুণ
হচ্ছে একমুখী কারেন্ট প্রবাহিত করা এ কারনে এটি রেকটিফায়ার হিসেবে ব্যবহৃত হয়। একটি (p-type semiconductor) কে একটি
(n-type semiconductor) এর
সাথে সংযুক্ত করলে য়ে জাংশন সৃষ্টি হয় তাকে পি –এন জাংশন বলে। পি –টনে জাংশন
দ্বারা গটিত ইলেকট্রনিক ডিভাইসকে (p-n junction diode) বা semiconductor diode)
বলে।
২। সেমি কন্ডাক্টর ডায়োডের কায়প্রণালী
(working principle of semiconductor diode)
ফরোয়ার্ড বায়াস (forward bias) যখন একটি ব্যাটীরীর (positive
terminal-p) রিজিয়নে এবং (negative terminal n)-রিজিয়নে সংয়োগ করা হয় যার ফলে এই
ব্যাটারী সংযোগ (diode) এর অভ্যন্তরীন পটেনশিয়াল বেবিয়ার এর বিপরীত দিকে কাজ করে
তখন এই জাংশনকে ফারোয়ার্ড বায়াস বলে।
ডায়োডে ফরওয়ার্ড বায়াস হলে অ©থ্যাৎ ডায়োডের Anode এ পজিটিভ এবং কাথোডে নেগেটিভ ভোল্টেজ
প্রয়োগ করলে ডায়োডের মধ্যে দিয়ে কারেন্ট প্রবাহিত হয়। নিম্নে
চিত্রে দেখানো হল।
ডায়োডে রির্ভাস বায়াস হলে অর্থাr Anode এ নেগেটিভ ভোল্টেজ এবং ক্যাথোডে পজিটিভ
ভোল্টেজ প্রয়াগ করলে ডায়ডে কোন কারেন্ট প্রবাহিত হয় না। সুতরাং
ডায়ডে সবর্দা একমুখী কারেন্ট প্রবাহিত হয়।
রিভার্স বায়াস (reverse bias)
যকন একটি ব্যাটারীর পজিটিভ টার্মিনাল (n) রিজিয়নে এবং নেগেটিভ টার্মিনাল (p) রিজিয়নে
সংযোগ করা হয় যার ফলে ব্যাটারী টার্মিনাল এবং ব্যরিয়ার পটেনশিয়াল টার্মিনাল একই
দিকে হয় তখন তাকে রিভার্স বায়াস বলা হয়।
সহজ ভাবে বিষয় গুলো উপস্থাপিত হয়েছে । ভাল লেগেছে ।
উত্তরমুছুন